SIR692DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIR692DP-T1-RE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.79 |
10+ | $1.604 |
100+ | $1.2893 |
500+ | $1.0593 |
1000+ | $0.8777 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | ThunderFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 104W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1405 pF @ 125 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 7.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24.2A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIR692 |
SIR692DP-T1-RE3 Einzelheiten PDF [English] | SIR692DP-T1-RE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
INTERFACE RELAY, SPDT, 6A
VISHAY QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIR692DP-T1-RE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|